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SK hynix 104,342件专利申请分析：H01L、G11C、G06F与H10B

Pinepat
2026年7月12日

本次数据同时覆盖半导体制造工艺、器件结构、存储电路、存储系统及H10B存储器件分类。SK hynix的申请既包括制造和器件权利要求，也包括存储控制、纠错和系统架构。

SK hynix专利年度申请量统计图
图1：按申请年度统计；2026年数据截至2026年7月6日。

本文基于pinepat_mhkang_concat_2026_07_06.xlsx在2026年7月6日的检索与收集时点形成的数据。原始concat工作表包含148,463行文献记录。由于同一申请可能以公开文献、授权文献等形式重复出现，本文在分析申请年度趋势和国家/地区占比时，主要采用国家代码+申请号去重后的104,342件申请记录。

检索时点2026-07-06
原始文献记录148,463行
去重后申请记录104,342件
申请年度范围1985-2026年
2026年数据截至7月6日的部分统计

年度申请量与公开滞后

按去重后的申请记录，SK hynix相关申请在1990年代中后期数量较高，1997年为5,639件。1995年至1999年的申请主要涉及半导体制造工艺、存储单元、DRAM结构和制造方法。2006年至2008年申请量再次增加，涉及微细工艺、栅极结构、闪存和DRAM制造及存储电路控制。

2016年以后，年申请量大体维持在2,000件后半至3,000件左右。2025年和2026年的数值较低，不宜直接解读为研发活动下降。专利数据库对近期申请存在公开滞后，许多申请在检索日尚未公开。因此，截至2026年7月6日，最近两年的数据属于尚未完全展开的公开窗口。

国家和地区分布

SK hynix专利申请国家和地区分布
图2：基于去重申请记录的国家和地区分布。

韩国（KR）为80,878件，占去重后数据的77.5%。美国（US）为15,056件，中国（CN）为7,406件。美国申请与半导体及存储系统的许可、争议和客户市场相关，中国申请则与制造、销售和供应链相关。

日本、WO和欧洲记录数量较少，但数量少并不等于重要性低。半导体专利组合经常根据产品族、设备/材料合作、标准或客户所在地进行选择性海外布局。真正需要关注的是哪些技术类别进入了哪些国家/地区。

法律状态分布

SK hynix专利法律状态分布
图3：去重申请记录的法律状态分布。

去重后的法律状态显示，撤回35,840件，到期31,283件，授权/注册21,131件，驳回6,733件，公开4,396件，审查中2,576件。撤回和到期比例较高，并不必然是负面信号。1990年代和2000年代初的大量申请已经自然届满，或者基于年费、产品相关性和技术代际变化进行了组合清理。

另一方面，仍然存在相当规模的授权、公开和审查中记录。对于与当前产品直接相关的存储系统、控制器、纠错、3D存储器结构和存储管理方法，应重点审查权利要求范围以及海外同族状态，而不仅仅是统计件数。

H01L、G11C、G06F和H10B的分布

SK hynix专利主要IPC分布
图4：按主IPC统计的技术分类。

按主IPC分组，H01L半导体器件和制造工艺为48,346件，G11C存储电路为21,670件，G06F计算和存储系统为9,893件，H10B存储器件为2,686件。申请范围从晶圆工艺和存储单元结构延伸至存储器运行、测试、错误控制和存储系统架构。

主IPC第1位H01L-021/28：5,563件
主IPC第2位H01L-021/027：3,829件
主IPC第3位G06F-003/06：3,229件
主IPC第4位H01L-021/336：3,181件
主IPC第5位H01L-027/108：3,023件
主IPC第6位H01L-027/115：2,528件

H01L-021/28、H01L-021/027和H01L-021/336反映出制造和结构形成方面的强保护。G06F-003/06则可能直接涉及存储装置输入输出、数据配置、存储系统控制以及产品层面的FTO审查。竞争对手监控不能只看H01L，还应同时检索G11C、G06F以及新的H10B分类。

2024年至2026年的主要IPC

SK hynix 2024年至2026年申请的主要IPC
图5：2024年至2026年公开申请的主要IPC；近期数据受公开滞后影响。

2024年至2026年区间中，G06F-003/06以489件居首，H10B-012/00为238件，H10B-043/27为186件。G06F-011/10、G06F-012/02和G11C-016/34也位于前列。这表明近期权利化重点正在从单纯的单元制造，转向存储系统、纠错、数据管理和器件结构组合。

H10B数量的增加既反映IPC分类体系变化，也对应3D存储器、非易失性存储器及细分存储器件结构。近期检索应同时使用H01L、G11C和H10B，避免仅依赖旧分类。

检索与权利分析要点

  • FTO审查：不能只审查存储单元和制造工艺，还应同时审查控制器、存储运行方法、纠错和数据配置相关的G06F/G11C权利。
  • 竞争监控：最近年度存在公开滞后，应按月跟踪新公开案件，并将G06F和H10B作为独立监控清单。
  • 申请策略：工艺改良应围绕H01L构建权利要求，而与产品性能相关的发明应同时准备G11C、G06F和H10B角度的权利要求。
  • 海外布局：即使组合以韩国为主，美国和中国同族布局往往决定实际防御价值。

数据结论

截至2026年7月6日，H01L制造工艺相关申请数量最多，G11C、G06F和H10B覆盖存储电路、存储系统和器件结构。到期和撤回记录应结合申请年代、年费、产品相关性及技术代际判断。后续监控应纳入近期公开、海外同族以及G06F和H10B相关系统、控制和器件权利要求。